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TABLE 1B: MOSFET/IGBT Module
Date Code
# Part Number or
Test #
1 GWM160-0055P3 1524
Voltage
[V]
240
Temp.
[°C]
150
Time
[hrs]
168
Sample
Size
6
Failures
0
Device Hours
[hrs]
1008
Remark
2
3
MIAA20WD600TMH
MIAA20WD600TMH
1844
1844
1120
480
125
125
1000
1000
10
10
0
0
10000
10000
Konverter tested
Inverter tested
4 MID145-12A3 2031
5 MKI75-06A7T 1847
6 MKI80-06T6K 1818
7 MUBW36-12E7 1898
8 MUBW50-12T8 1777
9 MUBW75-17T8 2001
10 MUBW75-17T8 2001
11 MWI150-12T8T 1897
12 MWI30-06A7T 2069
13 VMO60-05F 1552
960
480
480
960
960
1540
1360
960
480
400
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
168
168
168
1000
1000
1000
1000
1000
168
168
10
10
10
10
10
5
5
10
10
10
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1680
1680
1680
10000
10000
5000
5000
10000
1680
1680
TABLE 1C: Thyristor/Diode Module
Date Code
# Part Number or
Test #
1 MCC132-16io1 1509
2 MCC132-16io1 1980
3 MCC162-08io1 1624
4 MCC162-16io1 1593
5 MCC21-16io8 1812
6 MCC26-16io1 1539
7 MCC310-16 1696
8 MCC312-16 2028
9 MCC44-16io1 1747
10 MCC44-16io1 2006
11 MCC95-16io1 1701
12 MCC95-16io1 1862
13 MCD56-16io1 1587
14 MDD172-16n1 1554
15 MDD95-16 2032
Voltage
[V]
1120
1120
800
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
Temp.
[°C]
125
125
126
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
Time
[hrs]
1000
168
168
168
168
168
168
1000
168
168
168
168
168
168
168
Sample
Size
10
10
20
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
Failures
0
0
0
0
0
0
0
1
0
0
0
0
0
0
0
Device Hours
[hrs]
10000
1680
3360
1680
1680
1680
1680
10000
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
Remark
I_R @ increased
TABLE 1D: Controller/Rectifier Bridge
Date Code
# Part Number or
Test #
1 MMO75-16io1 1727
2 MMO90-16 1710
3 VBO19-16DT1 2011
4 VBO19-16DTI 1584
5 VBO40-16NO6 1860
6 VHF36-16io5 1542
7 VHF36-16io5 1732
8 VUB72-16 1657
9 VUB72-16No1 2004
10 VUB72-16No1 2004
11 VUB72-16No1 2004
12 VUO190-18NO7 2026
13 VUO25-16NO8 1581
14 VUO31-18 1863
15 VUO34-18NO1 1861
16 VWO140-16 1684
17 VY40-16io1 1745
Voltage
[V]
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
1120
960
960
1260
1120
1260
1260
1120
1120
Temp.
[°C]
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
125
Time
[hrs]
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
168
1000
168
1000
168
1000
168
Sample
Size
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
Failures
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
Device Hours
[hrs]
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
1680
10000
1680
10000
1680
10000
1680
Remark
IXYS Semiconductor GmbH
8
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
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MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
IXTQ460P2
MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXTQ470P2
MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
IXTQ480P2
MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P
MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
IXTQ30N50L
功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2
功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A
RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2
功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N20T
功能描述:MOSFET 36 Amps 200V 60 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N30P
功能描述:MOSFET 36 Amps 300V 0.11 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ36N50P
功能描述:MOSFET 36.0 Amps 500 V 0.17 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube